IGBT vs Thyristor
Thyristor og IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) er to typer halvlederenheter med tre terminaler, og begge brukes til å kontrollere strømmer. Begge enhetene har en kontrollterminal kalt 'gate', men har forskjellige driftsprinsipper.
Tyristor
Tyristor er laget av fire alternerende halvlederlag (i form av PNPN), og består derfor av tre PN-kryss. I analysen blir dette ansett som et tett koblet par transistorer (en PNP og en annen i NPN-konfigurasjon). De ytterste P- og N-halvlederlagene kalles henholdsvis anode og katode. Elektrode koblet til indre halvlederlag av P er kjent som 'gate'.
I drift virker tyristor ledende når en puls tilføres porten. Den har tre driftsmåter kjent som 'omvendt blokkeringsmodus', 'fremover blokkeringsmodus' og 'fremover ledende modus'. Når porten er utløst med pulsen, går tyristoren til 'fremoverledende modus' og fortsetter å lede til fremoverstrømmen blir mindre enn terskelen 'holdestrøm'.
Tyristorer er kraftenheter, og de fleste ganger brukes de i applikasjoner der høye strømmer og spenninger er involvert. Den mest brukte tyristorprogrammet er å kontrollere vekselstrømmer.
Isolert port bipolar transistor (IGBT)
IGBT er en halvlederenhet med tre terminaler kjent som 'Emitter', 'Collector' og 'Gate'. Det er en type transistor som kan håndtere en høyere mengde kraft og har høyere byttehastighet som gjør den høyeffektiv. IGBT har blitt introdusert på markedet på 1980-tallet.
IGBT har de kombinerte funksjonene til både MOSFET og bipolar junction transistor (BJT). Den er portdrevet som MOSFET og har strømspenningsegenskaper som BJT. Derfor har den fordelene med både høy strømhåndteringsevne og enkel kontroll. IGBT-moduler (består av en rekke enheter) håndterer kilowatt kraft.
Kort fortalt:
Forskjellen mellom IGBT og Thyristor
1. Tre terminaler av IGBT er kjent som emitter, samler og gate, mens tyristor har terminaler kjent som anode, katode og gate.
2. Tyristorporten trenger bare en puls for å skifte til ledende modus, mens IGBT trenger kontinuerlig tilførsel av portspenning.
3. IGBT er en type transistor, og tyristor blir betraktet som tett par transistorer i analysen.
4. IGBT har bare ett PN-kryss, og tyristor har tre av dem.
5. Begge enhetene brukes i applikasjoner med høy effekt.
