NMOS vs PMOS
En FET (Field Effect Transistor) er en spenningsstyrt enhet hvor den nåværende bæreevnen endres ved å bruke et elektronisk felt. En vanlig brukt type FET er Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET). MOSFET er mye brukt i integrerte kretser og applikasjoner med høy hastighet. MOSFET fungerer ved å indusere en ledende kanal mellom to kontakter kalt kilde og avløp ved å påføre en spenning på den oksidisolerte portelektroden. Det er to hovedtyper av MOSFET kalt nMOSFET (kjent som NMOS) og pMOSFET (ofte kjent som PMOS), avhengig av hvilken type bærere som strømmer gjennom kanalen.
Hva er NMOS?
Som nevnt tidligere er NMOS (nMOSFET) en type MOSFET. En NMOS-transistor består av n-type kilde og avløp og et p-type substrat. Når en spenning påføres porten, blir hull i kroppen (p-type substrat) drevet bort fra porten. Dette gjør det mulig å danne en n-type kanal mellom kilden og avløpet, og en strøm blir ført av elektroner fra kilden til avløpet gjennom en indusert kanal av n-typen. Logiske porter og andre digitale enheter implementert ved hjelp av NMOS sies å ha NMOS-logikk. Det er tre driftsmåter i en NMOS kalt cut-off, triode og metning. NMOS-logikk er enkel å designe og produsere. Men kretser med NMOS-logiske porter forsvinner statisk kraft når kretsen går på tomgang, siden likestrøm strømmer gjennom logikkporten når utgangen er lav.
Hva er PMOS?
Som nevnt tidligere er PMOS (pMOSFET) en type MOSFET. En PMOS-transistor består av p-type kilde og avløp og et n-type substrat. Når en positiv spenning påføres mellom kilden og porten (negativ spenning mellom gate og kilde), dannes en p-type kanal mellom kilden og avløpet med motsatte polariteter. En strøm bæres av hull fra kilde til avløp gjennom en indusert p-type kanal. En høy spenning på porten vil føre til at en PMOS ikke leder, mens en lav spenning på porten vil føre til at den ledes. Logiske porter og andre digitale enheter implementert ved bruk av PMOS sies å ha PMOS-logikk. PMOS-teknologi er billig og har god støyimmunitet.
Hva er forskjellen mellom NMOS og PMOS?
NMOS er bygget med n-type kilde og avløp og et p-type substrat, mens PMOS er bygget med p-type kilde og avløp og et n-type substrat. I en NMOS er bærere elektroner, mens i en PMOS er bærere hull. Når en høyspenning påføres porten, vil NMOS lede, mens PMOS ikke vil. Videre, når en lav spenning påføres i porten, vil ikke NMOS lede og PMOS vil lede. NMOS anses å være raskere enn PMOS, siden bærerne i NMOS, som er elektroner, beveger seg dobbelt så raskt som hull, som er bærerne i PMOS. Men PMOS-enheter er mer immun mot støy enn NMOS-enheter. Videre vil NMOS IC-er være mindre enn PMOS IC-er (som gir samme funksjonalitet), siden NMOS kan gi halvparten av impedansen som tilveiebringes av en PMOS (som har samme geometri og driftsforhold).
